중국 정부가 '중국제조 2025'로 미국과 첨단기술의 격차를 줄이기 위한 정책을 추진하면서 미국과 무역 갈등이 격화되고 있다. 급기야 미국 정부는 일본, 한국, 대만과 함께 칩4 동맹을 결성하는 중이다.

국제메모리워크숍(IEEE International Memory Workshop)은 반도체 기술의 연구개발에 관학 국제학회로 올해 15회째 개최됐다. 올해 행사는 2023년 5월21~24일 미국 캘리포니아주 몬테레이에서 진행됐다.

2009년 미국에서 첫 행사를 시작한 이후 유럽, 미국, 아시아, 미국의 순으로 개최지를 변경했다. 예를 들어 격년으로 미국, 격년으로 아시아 또는 유럽에서 진행하는 방식을 선택했다.

아시아에서는 한국의 서울, 대만의 타이페이, 일본의 교토에서 차례로 개최됐다. 2024년 개최지는 한국의 서울이며 2024년 5월12~15일 예정돼 있다.

낸드(NAND) 플래시를 제외한 비휘발성 메모리는 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory, 자기저항메모리), 상변화메모리(PCM), 저항변화메모리(ReRAM) 등으로 3가지다.

높은 기억밀도와 NAND 플래시 메모리보다 짧은 랜덤 액세스 스 시간이 특징이다. MRAM은 2006년 처음 양산된 이후 다수 제조업체가 생산 중이다.

삼성전자(Samsung), 에버스핀(Everspin Technologies), 아발란체(Avalanche), TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) 등이 주요 제조업체다.에버스핀은 단체 메모리, 다른 3개 업체는 저항메모리를 만들고 있다.

삼성전자는 2019년 임베디드 자기저항 메모리(eMRAM)을 개발해 양산을 시작했는데 28m FD-SOI CMOS 로직과 호환된다. 삼성전자의 eMRAM은 소니의 GPS 리비서인 'CXD5605'을 기반하고 있으며 저장 용량은 8Mbit다.

에버스핀은 20년 이상 단체메모리를 개발하기 위해 연구개발에 매진하고 있다. 2019년 4세대 제품을 개발을 완료한 이후에도 고밀도화, 대용량화에 초점을 맞추고 있다.

아발란체는 르네사스 일렉트로직스가 판매하는 소용량 비휘발성 메모리 제품인 M3008204에 기반하고 있다. 시리얼 입출력 비휘발성 메모리이며 저장 용량은 8Mbit로 삼성전자와 동일하다.

TSMC는 임베디드 MRAM을 채용하고 있으며 앰비크마이크로(Ambiq Micro)의 32bit 저소비 전력 마이크로 컨트롤러 '아폴로(Apollo) 시리즈를 제조하고 있다. 최신 세대인 아폴로4에서 독자적으로 개발한 eMRAM을 도입했다.